Name: SI7116BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI7116BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.44325 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7116BDN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SI7116BDN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SI7116BDN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI7116BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7116BDN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 18,4A (Ta), 65A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	18,4A (Ta), 65A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7,4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1915 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	5W (Ta), 62,5W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8
Päätuotenumero	SI7116