SI5855CDC-T1-E3 Vishay Siliconix | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI5855CDC-T1-E3
DigiKeyn tuotenumero	SI5855CDC-T1-E3TR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI5855CDC-T1-E3
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 3,7A (Tc) 1,3W (Ta), 2,8W (Tc) Kiinnitys pintaan 1206-8 ChipFET™
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	LITTLE FOOT®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	3,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	144mOhm @ 2,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	6.8 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	276 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	Schottky-diodi (eristetty)
Tehohäviö (maks.)	1,3W (Ta), 2,8W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	1206-8 ChipFET™
Pakkaus / kotelo	8-SMD, litteät jalat
Päätuotenumero	SI5855