Name: IRF510STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF510STRRPBFTR-ND
Price: 1.24245 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF510STRRPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRF510STRRPBFTR-ND - Rullattu teippi (TR) IRF510STRRPBFCT-ND - Cut Tape (CT) IRF510STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	IRF510STRRPBF
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 5,6A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5,6A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	540mOhm @ 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	180 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,7W (Ta), 43W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IRF510