Name: XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN12006NCL1XHQTR-ND
Price: 1.9076 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XPN12006NC,L1XHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-XPN12006NCL1XHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-XPN12006NCL1XHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XPN12006NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	XPN12006NC,L1XHQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Valmistajan vakio toimitusaika	52 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 20A 65W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	XPN12006NC,L1XHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	20A
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 200µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1100 pF @ 10 V
Tehohäviö (maks.)	65W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	XPN12006