Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 3.67715 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPW1R306PL,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	TPW1R306PLL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPW1R306PL,L1Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DSOP Advance
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPW1R306PL,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	260A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	8100 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-DSOP Advance
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	TPW1R306