Name: TPH1R306PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306PL1LQTR-ND
Price: 3.20025 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH1R306PL1,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TPH1R306PL1LQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPH1R306PL1LQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPH1R306PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPH1R306PL1,LQ
Kuvaus	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5,75)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	8100 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	960mW (Ta), 210W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOP Advance (5x5,75)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN