Name: TPH1R306P1,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306P1L1QTR-ND
Price: 3.6646 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH1R306P1,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TPH1R306P1L1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPH1R306P1L1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPH1R306P1L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPH1R306P1,L1Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPH1R306P1,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Sarja U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 8100 pF @ 30 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 175°C
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOP Advance (5x5)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero TPH1R306
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,28mOhm @ 50A, 10V