Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 2.2088 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPN1110ENH,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	TPN1110ENHL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPN1110ENH,L1Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 7,2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPN1110ENH,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7,2A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	114mOhm @ 3,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 200µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	600 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	TPN1110