Name: TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9J90ES1E-ND
Price: 4.15405 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK9J90E,S1E
DigiKeyn tuotenumero	TK9J90ES1E-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK9J90E,S1E
Kuvaus	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P(N)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK9J90E,S1E -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	900 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,3Ohm @ 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 900µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	250W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P(N)
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Päätuotenumero	TK9J90