Name: TK7S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7S10N1ZLQTR-ND
Price: 1.9327 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK7S10N1Z,LQ
DigiKeyn tuotenumero	TK7S10N1ZLQTR-ND - Rullattu teippi (TR) TK7S10N1ZLQCT-ND - Cut Tape (CT) TK7S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK7S10N1Z,LQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 7A (Ta) 50W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK7S10N1Z,LQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	48mOhm @ 3,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	7.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	470 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	50W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	TK7S10