Name: TK28N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK28N65WS1F-ND
Price: 8.534 EUR
Availability: OutOfStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

TK28N65W,S1F
DigiKeyn tuotenumero	TK28N65WS1F-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK28N65W,S1F
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 27,6A (Ta) 230W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK28N65W,S1F -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	DTMOSIV
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	27,6A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	110mOhm @ 13,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 1,6mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3000 pF @ 300 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	230W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	TK28N65

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	6,80000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	8,53400 €

TK28N65W,S1F