Name: TK25S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK25S06N1LLXHQTR-ND
Price: 1.5562 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK25S06N1L,LXHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TK25S06N1LLXHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TK25S06N1LLXHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TK25S06N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK25S06N1L,LXHQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK25S06N1L,LXHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	25A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	36,8mOhm @ 12,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	855 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	57W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	TK25S06