Name: SSM6J808R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J808RLXHFTR-ND
Price: 1.255 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM6J808R,LXHF
DigiKeyn tuotenumero	264-SSM6J808RLXHFTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-SSM6J808RLXHFCT-ND - Cut Tape (CT) 264-SSM6J808RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM6J808R,LXHF
Kuvaus	AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 7A (Ta) 1,5W (Ta) Kiinnitys pintaan 6-TSOP-F
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM6J808R,LXHF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	35mOhm @ 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1020 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,5W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	6-TSOP-F
Pakkaus / kotelo	6-SMD, litteät jalat
Päätuotenumero	SSM6J808