Name: SSM6J502NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J502NULFTR-ND
Price: 0.6526 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM6J502NU,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM6J502NULFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM6J502NULFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM6J502NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM6J502NU,LF
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Kiinnitys pintaan 6-UDFNB (2x2)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM6J502NU,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	23,1mOhm @ 4A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1800 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	6-UDFNB (2x2)
Pakkaus / kotelo	6-WDFN avoin juotoskohta
Päätuotenumero	SSM6J502

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 3 027

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)