Name: SSM6J501NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J501NULFTR-ND
Price: 0.7028 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM6J501NU,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM6J501NULFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM6J501NULFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM6J501NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM6J501NU,LF
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Kiinnitys pintaan 6-UDFNB (2x2)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM6J501NU,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 29.9 nC @ 4.5 V
Sarja U-MOSVI	Vgs (maks.) ±8V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2600 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1W (Ta)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus 6-UDFNB (2x2)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Ta)	Pakkaus / kotelo 6-WDFN avoin juotoskohta
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,5V, 4,5V	Päätuotenumero SSM6J501
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 15,3mOhm @ 4A, 4,5V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 164 994

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)