Name: SSM5N15FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND
Price: 0.41415 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM5N15FE(TE85L,F)
DigiKeyn tuotenumero	264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-SSM5N15FE(TE85L,F)CT-ND - Cut Tape (CT) 264-SSM5N15FE(TE85L,F)DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM5N15FE(TE85L,F)
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Kiinnitys pintaan ESV
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM5N15FE(TE85L,F) -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	π-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 100µA
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7.8 pF @ 3 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	150mW (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	ESV
Pakkaus / kotelo	SOT-553
Päätuotenumero	SSM5N15