Name: SSM3J352F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J352FLFTR-ND
Price: 0.4267 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM3J352F,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM3J352FLFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM3J352FLFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM3J352FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM3J352F,LF
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 2A (Ta) 1,2W (Ta) Kiinnitys pintaan S-Mini
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM3J352F,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	110mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,2V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	210 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,2W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	S-Mini
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	SSM3J352

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 2 993

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)