Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 6.1997 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STH60N099DM9-2AG
DigiKeyn tuotenumero	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Cut Tape (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STH60N099DM9-2AG
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 27A (Tc) 179W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	27A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	99mOhm @ 13,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2140 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	179W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB