STB6NM60N STMicroelectronics | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

STB6NM60N on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 889

Yksikköhinta : 2,21000 €

Samankaltainen

Vishay Siliconix

Varastossa: 450

Yksikköhinta : 3,35000 €

Samankaltainen

Vishay Siliconix

Varastossa: 169

Yksikköhinta : 4,12000 €

Samankaltainen

Rohm Semiconductor

Varastossa: 1 000

Yksikköhinta : 0,68181 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STB6NM60N
DigiKeyn tuotenumero	497-8770-2-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STB6NM60N
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 4,6A (Tc) 45W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	MDmesh™ II
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4,6A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	920mOhm @ 2,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	420 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	45W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	D2PAK
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	STB6N