Name: SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18351-ND
Price: 30.3459 EUR
Availability: OutOfStock

SCTW90N65G2V on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Microchip Technology

Varastossa: 121

Yksikköhinta : 21,47000 €

Samankaltainen

Rohm Semiconductor

Varastossa: 450

Yksikköhinta : 37,89000 €

Samankaltainen

Taiwan Semiconductor Corporation

Varastossa: 300

Yksikköhinta : 12,58000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCTW90N65G2V
DigiKeyn tuotenumero	497-18351-ND
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	SCTW90N65G2V
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 90A (Tc) 390W (Tc) Läpivientiaukko HiP247™
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SCTW90N65G2V -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3300 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	390W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 200°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	HiP247™
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	SCTW90