Name: SCTW60N120G2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW60N120G2-ND
Price: 19.9545 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCTW60N120G2
DigiKeyn tuotenumero	497-SCTW60N120G2-ND
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	SCTW60N120G2
Kuvaus	DISCRETE
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 60A (Tc) 389W (Tc) Läpivientiaukko HiP247™
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SCTW60N120G2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Viimeinen ostohetki
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1969 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	389W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 200°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	HiP247™
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	SCTW60