Name: SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW40N120G2VAG-ND
Price: 18.6493 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCTW40N120G2VAG
DigiKeyn tuotenumero	497-SCTW40N120G2VAG-ND
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	SCTW40N120G2VAG
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 33A (Tc) 290W (Tc) Läpivientiaukko HiP247™
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1230 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	290W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 200°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	HiP247™
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	SCTW40