Name: S2M0160120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120K-ND
Price: 6.0491 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

S2M0160120K
DigiKeyn tuotenumero	1655-S2M0160120K-ND
Valmistaja	SMC Diode Solutions
Valmistajan tuotenumero	S2M0160120K
Kuvaus	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	SMC Diode Solutions
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	196mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 2,5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	26.5 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	513 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	130W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-4
Pakkaus / kotelo	TO-247-4