Name: S2M0160120D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120D-ND
Price: 5.9989 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

S2M0160120D
DigiKeyn tuotenumero	1655-S2M0160120D-ND
Valmistaja	SMC Diode Solutions
Valmistajan tuotenumero	S2M0160120D
Kuvaus	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Läpivientiaukko TO-247AD
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 2,5mA
Valm. SMC Diode Solutions	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 26.5 nC @ 20 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +20V, -5V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 513 pF @ 1000 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 130W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 17A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247AD
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 20V	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V