FCH76N60N Fairchild Semiconductor | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FCH76N60N
DigiKeyn tuotenumero	2156-FCH76N60N-ND
Valmistaja	Fairchild Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	FCH76N60N
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Fairchild Semiconductor
Sarja	SupreMOS™
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	76A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	36mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	12385 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	543W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247
Pakkaus / kotelo	TO-247-3