Name: NVMFWS1D9N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS1D9N08XT1GTR-ND
Price: 4.02855 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVMFWS1D9N08XT1G
DigiKeyn tuotenumero	488-NVMFWS1D9N08XT1GTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NVMFWS1D9N08XT1GCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NVMFWS1D9N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVMFWS1D9N08XT1G
Kuvaus	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 201A (Tc) 164W (Tc) Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	201A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,6V @ 252µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4470 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	164W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna
Valmistajan laitepakkaus	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN, 5 johtoa
Päätuotenumero	NVMFWS