FQU13N06LTU onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

FQU13N06LTU on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

onsemi

Varastossa: 5 522

Yksikköhinta : 0,97000 €

Parametrisesti vastaava

onsemi

Varastossa: 11 673

Yksikköhinta : 1,38000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,93000 €

Samankaltainen

Taiwan Semiconductor Corporation

Varastossa: 13 095

Yksikköhinta : 0,86000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQU13N06LTU
DigiKeyn tuotenumero	FQU13N06LTU-ND
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQU13N06LTU
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 11A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Läpivientiaukko IPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FQU13N06LTU -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	QFET®
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	115mOhm @ 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	350 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	IPAK
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 lyhyet jalat, IPAK, TO-251AA
Päätuotenumero	FQU13N06