FQU13N06LTU-WS onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQU13N06LTU-WS
DigiKeyn tuotenumero	FQU13N06LTU-WS-ND
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQU13N06LTU-WS
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 11A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Läpivientiaukko IPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	QFET®
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	115mOhm @ 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	350 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	IPAK
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 lyhyet jalat, IPAK, TO-251AA
Päätuotenumero	FQU13N06

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 11 673

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Tätä tuotetta ei enää valmisteta, eikä sitä enää varastoida, kun varasto on loppunut. Näytä Korvaavat osat tai Vaihtoehtoiset pakkausmuodot.

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki