FQD24N08TM onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

FQD24N08TM on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 2 846

Yksikköhinta : 1,52000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 2 911

Yksikköhinta : 1,15000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 3 658

Yksikköhinta : 1,40000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 3 424

Yksikköhinta : 1,51000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FQD24N08TM
DigiKeyn tuotenumero	FQD24N08TM-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FQD24N08TM
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 19,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FQD24N08TM -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	QFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	19,6A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	60mOhm @ 9,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	750 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252AA
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	FQD2