Name: FDMS4D5N08LC
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D5N08LCOSTR-ND
Price: 1.99545 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDMS4D5N08LC
DigiKeyn tuotenumero	FDMS4D5N08LCOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) FDMS4D5N08LCOSCT-ND - Cut Tape (CT) FDMS4D5N08LCOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FDMS4D5N08LC
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 17A (Ta), 116A (Tc) 2,5W (Ta), 113,6W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PQFN (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	PowerTrench®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	17A (Ta), 116A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,2mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 210µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5100 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 113,6W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-PQFN (5x6)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	FDMS4