Name: N3T080MP120D
Brand: NoMIS Power
SKU: 5140-N3T080MP120D-ND
Price: 9.70115 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

N3T080MP120D
DigiKeyn tuotenumero	5140-N3T080MP120D-ND
Valmistaja	NoMIS Power
Valmistajan tuotenumero	N3T080MP120D
Kuvaus	1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 38A 188W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3L
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	NoMIS Power
Sarja	1200
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	38A
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 15mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	53 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	896 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	188W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3L
Pakkaus / kotelo	TO-247-3