Name: IXFN82N60Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFN82N60Q3-ND
Price: 63.2018 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFN82N60Q3
DigiKeyn tuotenumero	IXFN82N60Q3-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXFN82N60Q3
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Runkokiinnitys SOT-227B
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	HiPerFET™, Q3 Class
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	66A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	75mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	6,5V @ 8mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	275 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	13500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	960W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus	SOT-227B
Pakkaus / kotelo	SOT-227-4, miniBLOC
Päätuotenumero	IXFN82