Name: MMIX1F160N30T
Brand: IXYS
SKU: MMIX1F160N30T-ND
Price: 50.0745 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

MMIX1F160N30T
DigiKeyn tuotenumero	MMIX1F160N30T-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	MMIX1F160N30T
Kuvaus	MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 300 V 102A (Tc) 570W (Tc) Kiinnitys pintaan 24-SMPD
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	300 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	102A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	20mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 8mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	335 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	570W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	24-SMPD
Pakkaus / kotelo	24-PowerSMD, 21 johtoa
Päätuotenumero	MMIX1F160