IXTQ150N06P IXYS | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

IXTQ150N06P on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Infineon Technologies

Varastossa: 5 098

Yksikköhinta : 3,12000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTQ150N06P
DigiKeyn tuotenumero	IXTQ150N06P-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTQ150N06P
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 150A (Tc) 480W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	Polar
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	150A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	480W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Päätuotenumero	IXTQ150