IXTA1N80 IXYS | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

IXTA1N80 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 155

Yksikköhinta : 3,20000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTA1N80
DigiKeyn tuotenumero	IXTA1N80-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTA1N80
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 750MA TO263
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263AA

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	750mA (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 25µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	220 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	40W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263AA
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IXTA1