Name: ISC110N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC110N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 1.81975 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISC110N12NM6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISC110N12NM6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISC110N12NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC110N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISC110N12NM6ATMA1
Kuvaus	TRENCH >=100V
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 11A (Ta), 62A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) Kiinnitys pintaan SuperSO8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 6
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	120 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11A (Ta), 62A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	8V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,6V @ 35µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	19.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1400 pF @ 60 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 94W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SuperSO8
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	ISC110N