Name: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.6937 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE050N08NM5CGSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE050N08NM5CGSCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE050N08NM5CGSCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 49µA
Sarja OptiMOS™ 5	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2900 pF @ 40 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 16A (Ta), 99A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-WHTFN-9-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 9-PowerWDFN