Name: IQE006NE2LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND
Price: 3.15005 EUR
Availability: InStock

IQE006NE2LM5ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE006NE2LM5ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE006NE2LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE006NE2LM5ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSON-8-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE006NE2LM5ATMA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	25 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	41A (Ta), 298A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,65mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	82.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5453 pF @ 12 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TSON-8-4
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	IQE006

Määrä	Yksikköhinta	Yhteensä
5 000	0,70535 €	3 526,75 €
10 000	0,69117 €	6 911,70 €

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,51000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,15005 €

IQE006NE2LM5ATMA1