IPW60R055CFD7XKSA1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

FCH060N80-F155
onsemi
Varastossa: 832
Yksikköhinta : 15,94000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

FCH47N60N
onsemi
Varastossa: 16
Yksikköhinta : 12,18000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

IXTH62N65X2
IXYS
Varastossa: 90
Yksikköhinta : 10,92000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

SIHG47N60AE-GE3
Vishay Siliconix
Varastossa: 414
Yksikköhinta : 7,61000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen

STY60NM60
STMicroelectronics
Varastossa: 797
Yksikköhinta : 20,80000 €
Tekniset tiedot
Näytä kaikki korvaavat osat ja vertaile niitä
N-kanavatyyppi 600 V 38A (Tc) 178W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 600 V 38A (Tc) 178W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW60R055CFD7XKSA1

DigiKeyn tuotenumero
448-IPW60R055CFD7XKSA1-ND
Valmistaja
Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero
IPW60R055CFD7XKSA1
Kuvaus
MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika
8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 600 V 38A (Tc) 178W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
IPW60R055CFD7XKSA1 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Infineon Technologies
Sarja
OptiMOS™
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
N-kanavatyyppi
Teknologia
MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
55mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4,5V @ 900µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
3194 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
178W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO247-3
Pakkaus / kotelo
TO-247-3
Päätuotenumero
IPW60R055
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

0 varastossa
Tarkista toimitusaika
Pyydä ilmoitus siitä kun tuotetta on taas saatavana
Määrä
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
16,33000 €6,33 €
303,66000 €109,80 €
1203,07250 €368,70 €
5102,74688 €1 400,91 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:6,33000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:7,94415 €
LiitännäistuoteNäytä kaikki
11 tuotetta
1EDN8511BXUSA1

1EDN8511BXUSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

0,51000 €
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

0,69000 €
IRS44273LTRPBF

IRS44273LTRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

0,58000 €
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

1,58000 €
1ED3123MC12HXUMA1

1ED3123MC12HXUMA1

DIGITAL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

2,06000 €
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

0,93000 €
1ED3124MU12FXUMA1

1ED3124MU12FXUMA1

DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

1,82000 €
1ED3125MU12FXUMA1

1ED3125MU12FXUMA1

DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

1,67000 €
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

0,65000 €
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

2,28000 €
6EDL04N06PTXUMA1

6EDL04N06PTXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

2,84000 €
Saattaisit olla kiinnostunut myös seuraavasta:
1 tuotetta
IPW60R018CFD7XKSA1

IPW60R018CFD7XKSA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

13,74000 €