Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.3423 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPT017N10NF2SATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPT017N10NF2SATMA1
Kuvaus	MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-10
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPT017N10NF2SATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	StrongIRFET™ 2
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	33A (Ta), 294A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,8V @ 216µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	9300 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-HSOF-8-10
Pakkaus / kotelo	8-PowerSFN
Päätuotenumero	IPT017