Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.73135 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPT017N10NF2SATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPT017N10NF2SATMA1
Kuvaus	MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-10
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPT017N10NF2SATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 216µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 195 nC @ 10 V
Sarja StrongIRFET™ 2	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 9300 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8-10
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 33A (Ta), 294A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero IPT017
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,75mOhm @ 150A, 10V