Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 8.17005 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPT017N12NM6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPT017N12NM6ATMA1
Kuvaus	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,6V @ 275µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 141 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 6	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 11000 pF @ 60 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3W (Ta), 395W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 120 V	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 29A (Ta), 331A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 8V, 10V	Päätuotenumero IPT017
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,7mOhm @ 150A, 10V