Name: IPT026N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.01545 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPT026N12NM6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPT026N12NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPT026N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPT026N12NM6ATMA1
Kuvaus	IPT026N12NM6ATMA1
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 23A (Ta), 224A (Tc) 3W (Ta), 283W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPT026N12NM6ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,6mOhm @ 115A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,6V @ 169µA
Sarja OptiMOS™ 6	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6500 pF @ 60 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3W (Ta), 283W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 120 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 23A (Ta), 224A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 8V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN