Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 5.15805 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPT015N10NF2SATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPT015N10NF2SATMA1
Kuvaus	MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-HSOF-8-10
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPT015N10NF2SATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,5mOhm @ 150A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 267µA
Sarja StrongIRFET™ 2	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 242 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 11000 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 35A (Ta), 315A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-HSOF-8-10
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN