IPP65R280C6XKSA1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 1 732

Yksikköhinta : 3,97000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 919

Yksikköhinta : 2,69000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 792

Yksikköhinta : 1,89000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 1 051

Yksikköhinta : 4,74000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP65R280C6XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	IPP65R280C6XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP65R280C6XKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolMOS™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	13,8A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 440µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	950 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	104W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IPP65R