Name: IPP110N20N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP110N20N3GXKSA1-ND
Price: 5.60985 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP110N20N3GXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP110N20N3GXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP110N20N3GXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	30 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP110N20N3GXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 270µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 7100 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 300W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO220-3
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 88A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IPP110
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 14 503

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki