Name: GT023N10T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT023N10T-ND
Price: 5.15805 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GT023N10T
DigiKeyn tuotenumero	3141-GT023N10T-ND
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	GT023N10T
Kuvaus	N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 140A (Tc) 500W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,3V @ 250µA
Valm. Goford Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 8086 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 500W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 140A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,7mOhm @ 20A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 141

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki