Name: IRFB4227PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4227PBF-ND
Price: 2.94925 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFB4227PBF
DigiKeyn tuotenumero	448-IRFB4227PBF-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRFB4227PBF
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRFB4227PBF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 250µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Sarja HEXFET®	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 330W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -40°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus TO-220AB
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 65A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IRFB4227
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 46A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 2 809

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki