Name: IPP086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Price: 2.52255 EUR
Availability: OutOfStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

IPP086N10N3GXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP086N10N3GXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP086N10N3GXKSA1 -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,6mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 75µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3980 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	125W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IPP086

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,01000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	2,52255 €

IPP086N10N3GXKSA1