Name: RJK1001DPP-A0#T2
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RJK1001DPP-A0#T2-ND
Price: 8.32065 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 100 V 80A (Ta) 30W (Ta) Läpivientiaukko TO-220ABA

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RJK1001DPP-A0#T2
DigiKeyn tuotenumero	559-RJK1001DPP-A0#T2-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	RJK1001DPP-A0#T2
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 80A (Ta) 30W (Ta) Läpivientiaukko TO-220ABA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 1mA
Valm. Renesas Electronics Corporation	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 147 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 10000 pF @ 10 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 30W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 80A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus TO-220ABA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5,5mOhm @ 40A, 10V	Päätuotenumero RJK1001