IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPP057N08N3GXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPP057N08N3GXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPP057N08N3GXKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO220-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPP057N08N3GXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 90µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4750 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	150W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO220-3
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IPP057